这是一款高规格的俄歇电子能谱仪,配备半球形分析器,可对微米至纳米区域的化学键合状态进行高通量分析,还配备场发射电子枪,可用于电子探针微区分析,因为它能提供大而稳定的电流。高精度的等中心样品台使得对绝缘体进行此前无法实现的分析成为可能。再加上浮动式离子枪,能够处理任何样品,如金属和绝缘材料,获取成分信息和化学信息,具有极高的灵活性。
主要特点
1. 光谱成像
一种新开发的光谱成像方法能够获取图像中每个像素的电子光谱。在获取数据后,可以像 EDS 映射那样提取图像中选定区域的光谱和元素分布。光谱成像方法通过在宽能谱范围内获取数据,避免了任何元素的遗漏,这与传统的 Auger 映射完全不同,在 Auger 映射中,需要提前指定要映射的元素。测量的能谱范围和能量分辨率与常规的宽谱获取一样可选。光谱成像不仅可用于元素分析,还可用于反射电子能量损失光谱(REELS)分析。
2. 标准谱图库和峰分解软件
提供包含 140 种材料的 500 多个光谱的标准光谱数据库。我们的峰分解软件能够轻松分离重叠的俄歇峰,并且只需点击一下即可进行复杂的化学状态分析。
应用示例
1. 半导体器件
与诸如扫描电子显微镜能谱分析(SEM-EDS)和电子探针微区分析(EPMA)之类的 X 射线发射光谱法相比,俄歇电子能谱(AES)分析的空间分辨率非常高。AES 分析可用于高放大倍数视野下的元素分析。通过利用样品化学状态不同所导致的俄歇峰形状差异,还可以进行化学态成像。
2. 锂离子电池材料
AES 对锂的检测灵敏度很高,常用于锂离子电池材料的分析。由于相邻原子的电子参与了俄歇过程,AES 能够以良好的灵敏度检测出氧化锂和碳酸锂中的锂峰。利用光谱成像技术可以轻松实现锂的分布成像。
3. REELS 分析
反射电子能量损失谱(REELS)也是俄歇探针的一项重要应用。REELS 用于碳材料的分析,还用于评估宽带隙半导体和绝缘体的带隙大小。
Specification
Electron illumination system | |
---|---|
SEI resolution | 3nm(at 25kV, 10pA) |
Probe diameter for Auger analysis | 8nm(at 25kV, 1nA) |
Electron gun | Schottky field emission gun |
Accelerating voltage | 0.5 to 30kV |
Probe current | 10-11 to 2×10-7A |
Magnification | x 25 to 500,000 |
Auger analysis system | |
Analyzer | Electrostatic hemispherical analyzer (HSA) |
Energy resolution(ΔE/E) | 0.05 to 0.6% |
Sensitivity | 840,000 cps/7 ch or more (at 10 kV 10 nA Cu-LMN, 0.6% resolution, 60tilt) |
Expandability
1. Additional ports to accommodate the following attachments are pro-vided, supporting a variety of analyses.
2. Additional ports to accommodate the following attachments are pro-vided, supporting a variety of analyses
3. Specimen Parking Unit
4. Specimen Cooling and Fracturing Device
5. Backscattered Electron Detector
6. Energy Dispersive X-ray Spectrometer (EDS)
7. Transfer Vessel